【摘 要】
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基于0．18μm RF SOI CMOS工艺，提出了一种可广泛应用于无线通信系统中的低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路。该电路利用SOI器件的特殊结构（隐埋氧化层BOX，高阻衬底）和特殊SOI器件
【机 构】
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华东师范大学微电子电路与系统研究所,华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心
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基于0．18μm RF SOI CMOS工艺，提出了一种可广泛应用于无线通信系统中的低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路。该电路利用SOI器件的特殊结构（隐埋氧化层BOX，高阻衬底）和特殊SOI器件（FB，BC，BT等），使电路采用的器件较之体硅CMOS器件具有更优的隔离性能，实现了降低插入损耗和增加隔离度的目的。该电路经过模拟仿真，在频率为2．4GHz时，插入损耗和隔离度分别为-1dB和40dB。
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