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(CMP ) 软层的概念第一次在化学机械擦亮期间被建议。软层是在它是的硅表面上形成的反应层比硅衬底和它的厚度软是大约几纳米。软层的 Theexistence 能增加一个粒子移开的材料体积并且在 CMP 期间增加材料移动率。同时，软层能减少磨料粒子的切的深度以便认识到可锻的磨擦，并且减少是有用的擦亮的表面并且到的粗糙改进擦亮的质量。