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介绍基于RC^[1]网络集成电路中的制作多晶硅电阻工艺和掺杂方法，并详细阐述了这种方法的工艺过程和控制方式。利用LPCVD方式制作多晶硅薄膜，可以得到很好的膜层均匀性和最佳的淀积速率，再利用POCl3进行高温掺杂^[2]，得到优化的电阻率，灵活改变各种参数，可使电阻的精度优于5％。
基于RC网络集成电路的多晶硅薄膜电阻工艺优化
【摘 要】
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介绍基于RC^[1]网络集成电路中的制作多晶硅电阻工艺和掺杂方法，并详细阐述了这种方法的工艺过程和控制方式。利用LPCVD方式制作多晶硅薄膜，可以得到很好的膜层均匀性和最佳的
【机 构】
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哈尔滨学院,哈尔滨工业大学
【出 处】
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哈尔滨师范大学自然科学学报
【发表日期】
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2008年5期
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