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研究了应用双边C-V法测量超浅结（如p^＋-n结）的掺杂分布。推导了在已知p^＋-n结的电容-电压（C-VR）关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度（XnO）的情况下计算P区掺杂浓度分布的公式。xn0是计算P区掺杂分布所需的一个关键参数，通过将n区掺杂设计成阶梯状，可实现对XnO的精确提取。用Medici对具有相同的阶梯状掺杂n区的p^＋-n和n-肖特基结进行器件仿真可得其C-V R关系。运用常规C-V法，由肖特基结的C-VR关系可提取出n区掺杂浓度。实现了对xn0的精确提取，其精度达1．8nm。基于