【摘 要】
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关过程的di/dt和du/dt是影响换流器电磁干扰(EMI)水平的主要因素。IGBT的寄生振荡是高频EMI的重要组成部分,振荡频点处会出现EMI峰值。该文提出一种考虑寄生振荡的IGBT分段暂态模型,分析回路寄生参数和器件非线性电容对开关特性的影响,分别计算不同阶段的电流和电压变化率。搭建二极管钳位感性负载测试平台,获取IGBT的电流和电压波形,分析对比分段模型和实际波形的频谱特性。最后,通过实验验证了模型中的振荡过程是影响电流频谱特性的关键,且采用器件电容Cgc<
【机 构】
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新能源电力系统国家重点实验室（华北电力大学）,国网福建电科院
【基金项目】
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国家电网公司科技资助项目(52130419000M)。
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关过程的di/dt和du/dt是影响换流器电磁干扰(EMI)水平的主要因素。IGBT的寄生振荡是高频EMI的重要组成部分,振荡频点处会出现EMI峰值。该文提出一种考虑寄生振荡的IGBT分段暂态模型,分析回路寄生参数和器件非线性电容对开关特性的影响,分别计算不同阶段的电流和电压变化率。搭建二极管钳位感性负载测试平台,获取IGBT的电流和电压波形,分析对比分段模型和实际波形的频谱特性。最后,通过实验验证了模型中的振荡过程是影响电流频谱特性的关键,且采用器件电容Cgc<
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