CuInSe_2薄膜的电化学沉积及其形成机理

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【摘要】

：

采用电化学沉积法制备了太阳电池用CuInSe2薄膜.利用循环伏安法（CV）、X射线能谱（EDS）和X射线衍射技术（XRD）研究了电沉积过程中CuInSe2的形成机理,并研究了制备工艺对膜层成分、形貌

【作者】

：

吴免利李劼刘芳洋刘军赖延清张治安刘业翔

【机构】

：

中南大学冶金科学与工程学院

【出处】

：

高等学校化学学报

【发表日期】

：

2010年2期

【关键词】

：

CUINSE2 太阳电池电化学沉积形成机理诱导作用退火处理 CuInSe2 Solar cell Electrodeposition Format

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采用电化学沉积法制备了太阳电池用CuInSe2薄膜.利用循环伏安法（CV）、X射线能谱（EDS）和X射线衍射技术（XRD）研究了电沉积过程中CuInSe2的形成机理,并研究了制备工艺对膜层成分、形貌和物相结构的影响.研究结果表明,铟进入固相是通过In3＋受Cu3Se2诱导作用欠电势还原或者In3＋与H2Se反应这两种途径实现;先沉积的Cu3Se2与新生成的铟或铟硒化合物反应最后生成CuInSe2.在阴极电位为-0.58~-0.9 V（vs.SCE）时出现了不随电位变化的极限还原电流,在该电位范围内进行电沉

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