【摘 要】
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基于65 nm CMOS工艺,研究和设计了一款四级全差分结构的D波段功率放大器芯片.采用交叉耦合电容中和技术抵消了硅基CMOS晶体管栅漏寄生电容,提高了放大器的增益和稳定性.通过
【机 构】
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杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
【出 处】
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杭州电子科技大学学报(自然科学版)
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基于65 nm CMOS工艺,研究和设计了一款四级全差分结构的D波段功率放大器芯片.采用交叉耦合电容中和技术抵消了硅基CMOS晶体管栅漏寄生电容,提高了放大器的增益和稳定性.通过优化输入输出巴伦和级间变压器,功率放大器的增益和输出功率得到了显著改善.仿真结果显示,在1.2V的电源电压下,工作在140GHz的功率放大器的功率增益为16.7dB,饱和输出功率为11.3dBm,输出1dB压缩点为7.0dBm,功耗为130mW.芯片面积为500μm×455μm.
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