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PTFB系列高功率LDMOS晶体管用于设计宽频无线网络基站，该晶体管的单管输出功率高达300W，完全支持由3G发展为4G无线网络所需的高峰值对均值功率比（peak to average power ratio）以及高数据传输速率规格。PTFB系列产品所提供的高增益及高功率密度，主要应用在1．4～2．6GHz频带中。