【摘 要】
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1 前言先进微电子器件加工中,投影光刻不断地获得越来越小的极限尺寸。为了克服光衍射的限制,已经设计出具有较大数值孔径和较短工作波长的先进光刻机。到2007年工作波长将
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1 前言先进微电子器件加工中,投影光刻不断地获得越来越小的极限尺寸。为了克服光衍射的限制,已经设计出具有较大数值孔径和较短工作波长的先进光刻机。到2007年工作波长将缩短到13nm左右的极紫外(EUV)波长。
1 Introduction Advanced microelectronic device processing, projection lithography continue to get smaller and smaller limit size. In order to overcome the limitations of light diffraction, advanced lithography machines have been designed with larger numerical apertures and shorter operating wavelengths. By 2007, the working wavelength will be shortened to the EUV wavelength of about 13 nm.
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