【摘 要】
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石墨烯的制备工艺参数和条件对其性能有直接影响,获得可靠有效的制备工艺条件对提升石墨烯的质量具有重要的意义.虽然,化学气相沉积(CVD)已经成为制备石墨烯的有效方法,然而
【机 构】
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哈尔滨工业大学机电工程学院,黑龙江哈尔滨150001
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石墨烯的制备工艺参数和条件对其性能有直接影响,获得可靠有效的制备工艺条件对提升石墨烯的质量具有重要的意义.虽然,化学气相沉积(CVD)已经成为制备石墨烯的有效方法,然而采用化学气相沉积法制备石墨烯的工艺参数十分苛刻,受到生长温度、时间、气体流量等多种因素的影响.本文采用化学气相沉积方法,在晶体铜表面制备石墨烯薄膜.给出了高温低压条件下CVD法制备石墨烯工艺流程,分析了石墨烯生长过程中生长温度、生长时间、CH4流量和H2流量对石墨烯沉积质量的影响.在研究石墨烯沉积质量影响规律的基础上,确定了CVD法制备石墨烯薄膜的工艺条件,并成功地在晶体铜表面制备出高质量的石墨烯.
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