V,Cr掺杂CdSe铁磁半导体的电子能态密度和半金属性质研究

来源 :西南师范大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:HYB1976
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在共轭梯度近似(GGA)下,采用第一性原理平面波赝势方法,对V和Cr掺杂闪锌矿CdSe半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究.结果表明,掺入磁性过渡金属V和Cr后的CdSe明显具有铁磁性,每个超晶胞的总磁矩为3.0和4.0μB,而且呈现出显著的半金属特征.这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值.
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