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氮化铝镓（AlxGa_（1-x）N）合金是重要的半导体材料,在发光二极管和紫外探测器等领域都有广阔的应用前景。对高铝成分AlxGa_（1-x）N合金的高压行为研究还较为稀少。利用原位拉曼光谱对高铝成分的AlxGa_（1-x）N合金与本征的GaN和AlN进行了对比研究。结果表明,Al原子掺杂引起GaN亚晶格的收缩效应与对本征GaN施加外部正压力的作用效果等效,引起AlN亚晶格的拉伸效应与对本征AlN施加外部负压力的作用效果相似。Al原子掺杂引起Al0.86Ga0.14N晶格的收缩效应在晶胞c轴方向上更显著。