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研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜，在Ｈ２ＳＯ４水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程。硅衬氏电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长向氧化硅生长的过渡和氧化硅生长三个阶段构成，硅衬底多孔氧化铝复合结构的透射电子显微镜观察表明，在硅衬底上形成了垂直于硅表面的氧化铝纳米孔，而孔底可形成ＳｉＯ２层，有序结构多孔氧化铝的形成不依赖于铝膜的结晶状态，而是由阳极氧化过程的自由组织