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介绍一种基于70nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管（mHEMT）工艺的漏/阻双模、高性能D波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波导（CPW）实现.为了保证电路高频设计的准确性,对共面波导进行电磁场仿真建模.采用谐波平衡法对漏极、阻性2种状态的端口大信号阻抗进行仿真分析,设计出射频（RF）和本振（LO）信号共用的匹配网络.测试结果表明：在漏极状态下,当射频频率从110GHz变化到150GHz、中频频率固定为1GHz、本振信号功率设置为3dBm时,转换增益位于-4.4--11.6dB;在阻性状态下,当