在蓝宝石上生长CeO2缓冲层的原位双温工艺法及Tl-2212薄膜的技术改进

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报道了在蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层的原位双温工艺法及其对Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)薄膜超导特性的影响.XPS和AFM测试结果表明,采用原位双温工艺法制备缓冲层,具有工艺简单,薄膜表面光滑,衬底材料原子扩散量少等特点.在先驱膜的高温后退火过程中,40nm厚的CeO2薄膜就能有效地阻挡衬底材料对超导薄膜底层的扩散.随后制备厚度为530nm的Tl-2212超导薄膜具有优越的电学性能,其临界温度达到108.2K,临界电流密度达到6.58MA/cm2(77K,0T),微波表面电阻只有185μΩ(77K,10GHz),超导薄膜的主要特性参数得到显著提高.
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