纳米晶PLT薄膜的合成与表征

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纳米材料的制备技术结合Sol-Gel工艺在(100)单晶硅上制备了粒径在20 ̄80nm的多晶PLT(Pb1-xLaxTiO3)纳米晶膜,并用IR、TGA、XRD、SEM等对膜的制备过程及结果进行了研究。结果表明,所制备的PLT纳米晶膜属多晶钙钛矿结构,薄膜表面平整致密,厚度均匀,约为1u,颗粒为球形或椭球形,粒度呈对称分布。
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ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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