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介绍了自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置,该装置磁场强度可在0-0.6T范围内连续调节,生长区温度梯度达40-70℃/cm,不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验,通过测量分析, 轴赂和径向组分分布的变化与磁场的关系,实验结果表明,由于磁场对熔体中热对流以的作用,尤其是横向磁场怀流甩的相互作用,在一定程度上改变生长界面的形状,从而改善HgCdTe晶体径向组分分布