金属氧化物掺杂调控空穴迁移特性构建高效率低电压OLED

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采用金属氧化物掺杂的双空穴传输层[NPB:5%MoOx]/[NPB:3%TiO2]构建了高效率低电压有机电致发光器件(OLED)。以Alq3为发光层,器件的最大发光效率和功率效率分别达到了5.1 cd/A和2.7 lm/W,比非掺杂型NPB空穴传输层构建的OLED分别提高了46%和93%,而驱动电压则降低了约1.5 V。这是由于掺杂型双空穴传输层能有效调控空穴迁移特性,改善电荷平衡因子,从而促进了发光效率和功率效率的提高。
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