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本次实验尝试对石墨烯与硒化钼这两种新型的纳米薄膜材料进行异质结的制备。在利用化学气相沉积(CVD)制备出的MoSe2薄膜上用化学气相沉积制备出石墨烯,然后采用磁控溅射沉积铜(Cu)接触电极,对石墨烯表征并对其性质研究。最后经过必要的工艺步骤下形成石墨烯和MoSe2异质结并检测其光电特性。在标准光源照射下,短路电流约为2.4 nA,开路电压约为4 mV,可知石墨烯/硒化钼异质结可以用于太阳能电池、传感器、发光二极管、激光等领域。有无光照时电流比值约为2.69,可见石墨烯/硒化钼异质结具有良好的光伏特性。