【摘 要】
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选取N iMnGa合金和传统的压电材料PbZr0.52Ti0.48O3(PZT陶瓷),制备出2-2型层状复合磁电材料N iMnGa/PZT。在室温下测量了其磁电耦合效应,得到了该材料的磁电耦合系数随频率和
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选取N iMnGa合金和传统的压电材料PbZr0.52Ti0.48O3(PZT陶瓷),制备出2-2型层状复合磁电材料N iMnGa/PZT。在室温下测量了其磁电耦合效应,得到了该材料的磁电耦合系数随频率和偏置磁场的变化曲线。由磁电耦合系数随偏置磁场的变化曲线选择合适的模型,对该结果进行了比较理想的拟合,分析了拟合过程及磁电耦合效应的物理机制。可以为设计样品以提高磁电耦合效应提供参考。
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