Application of halide vapor phase epitaxy for the growth of ultrawide band gap Ga2O3

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xpank

【摘要】

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Halide vapor phase epitaxy(HVPE) is widely used in the semiconductor industry for the growth of Si, GaAs, GaN, etc.HVPE is a non-organic chemical vapor depositi

【作者】

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Xiangqian Xiu Liying Zhang Yue

【机构】

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KeyLaboratoryofAdvancedPhotonicandElectronicMaterials

【出处】

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半导体学报:英文版

【发表日期】

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2019年1期

【关键词】

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HALIDE vapor phase EPITAXY GA2O3 SCHOTTKY barrier DIODES EPITAXY GROWTH

【基金项目】

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The National Key R&D Program of China (No.2017YFB0404201),the Solid State Lighting and Energy-Saving Electronics Collaborative Innovation Center,PAPD,and the State Grid Shandong Electric Power Com

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Halide vapor phase epitaxy(HVPE) is widely used in the semiconductor industry for the growth of Si, GaAs, GaN, etc.HVPE is a non-organic chemical vapor deposition(CVD) technique, characterized by high quality growth of epitaxial layers with fast growth ra

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