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高Q值的开关电容带通双二次节需要很高的电容比和较大的芯片面积。本文从理论和设计两方面说明采用Q倍增结构可以使这个问题得到较好的解决。
开关电容Q倍增带通结构
【摘 要】
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高Q值的开关电容带通双二次节需要很高的电容比和较大的芯片面积。本文从理论和设计两方面说明采用Q倍增结构可以使这个问题得到较好的解决。
【机 构】
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西北师范学院兰州730070
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1992年5期
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