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以In（NO3）3和Cd（NO3）2为原料，采用Sol-Gel法合成N型CdIn2O4半导体氧化物纳米材料，通过500～800℃退火处理得到4种温度参数的纳米氧化物材料粉体，按照陶瓷半导体气体传感器工艺制成厚膜气敏元件．利用SEM对材料进行形貌表征，和XRD对材料的晶体结构进行分析，材料粒径尺寸在50nm左右．测试结果表明，600℃退火烧结的纳米材料性能良好，元件在加热电压为3V时性能稳定，加热功耗约为200mW；在50×10^-6时灵敏度为32倍，响应恢复时间分别为90s和180s，最低可检测