常压MOCVD生长的ZnO薄膜的电学性能

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【摘要】

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利用常压MOCVD法在蓝宝石(0001)衬底上沉积了非故意掺杂ZnO单晶薄膜．用Van der Pauw法测量了其从15K到室温的载流子浓度和霍耳迁移率，并用双层结构单施主模型对载流子浓度和迁

【作者】

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周鹏王立方文卿蒲勇戴江南江风益

【机构】

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南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

ZnO MOCVD 迁移率载流子浓度 ZnO MOCVD Hall mobility carrier concentration

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利用常压MOCVD法在蓝宝石(0001)衬底上沉积了非故意掺杂ZnO单晶薄膜．用Van der Pauw法测量了其从15K到室温的载流子浓度和霍耳迁移率，并用双层结构单施主模型对载流子浓度和迁移率进行了拟合分析．研究表明：ZnO薄膜浅施主能级为20．4meV，温度较低时，以电离杂质散射为主，温度较高时，以极性光学波散射为主．

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