硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dada_2003

【摘要】

：

讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充

【作者】

：

陈少武屠晓光余和军樊中朝徐学俊余金中

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年z1期

【关键词】

：

硅基微纳光子器件电子束/光学邻近效应 ICP-RIE刻蚀光波导侧壁粗糙度 CVD

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(批准号:60577044)

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讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密度问题.这些问题可影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案.

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