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以六甲基二硅氧烷（（CHa）3-Si-O-Si-（CH3）3，HMDSO）为单体，采用等离子增强化学气相沉积技术制备氧化硅薄膜，研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分子。通过四极杆质谱仪对气相中的中间产物及活性粒子进行原位诊断，进行了不同功率、气压及O2与HMDSO比例（X）等对它们含量的影响研究。实验发现：高功率，低气压，及高O2含量有利于有机硅化合物的裂解。我们认为氧化硅沉积过程中质荷比为147的离子是气相反应形成含硅粒子的主要前驱体，对薄膜的形成起主要作用。