AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：excalibur

【摘要】

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研究了20℃～-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaN HEMT的直流特性.随温度降低,电子迁移率增大,而二维电子气密度基本不变,HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所

【作者】

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张浩吕长志朱修殿徐立国杨集

【机构】

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北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性物理研究室

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2005年11期

【关键词】

：

ALGAN/GAN HEMT 低温特性饱和漏极电流阈值电压 AlGaN/GaN HEMT Low temperature characteristic

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研究了20℃～-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaN HEMT的直流特性.随温度降低,电子迁移率增大,而二维电子气密度基本不变,HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降,在一定温度范围内变化不明显,其原因除栅肖特基势垒高度、AlGaN/GaN导带差发生变化外,还可能与器件制备工艺和源极串联电阻有关.

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