【摘 要】
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在空间辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响了SRAM的可靠性,对航天设备的正常运行构成极大的威胁。提出了一种基于自恢复逻辑(SRL)结构的新型抗辐射SRAM单元,该单元的存
【机 构】
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电子科技大学电子科学与技术研究院,
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在空间辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响了SRAM的可靠性,对航天设备的正常运行构成极大的威胁。提出了一种基于自恢复逻辑(SRL)结构的新型抗辐射SRAM单元,该单元的存储结构由3个Muller C单元和2个反相器构成,并采用读写线路分开设计。单粒子效应模拟实验结果表明,该单元不仅在静态存储状态下对SEU效应具有免疫能力,在读写过程中对SEU效应同样具有免疫能力。
In space radiation environment, single-particle flip (SEU) effect seriously affects the reliability of SRAM and poses a great threat to the normal operation of aerospace equipment. A novel anti-radiation SRAM cell based on self-recovery logic (SRL) structure is proposed. Its memory structure consists of three Muller C cells and two inverters, and is designed separately using a read-write circuit. Simulation results of the single particle effect show that the unit is not only immune to the SEU effect, but also immune to the SEU effect during reading and writing.
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