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选择In2O3与SnO2质量比1：1的靶材为溅射源，采用磁控溅射法沉积了ITO薄膜，讨论了溅射氩气压强、氧流量、基体温度对薄膜透射率和方阻的影响，深入分析了其机理。研究结果表明：溅射时采用低Ar压强更有利于降低ITO薄膜的电阻率，并确定最佳氩气压强为0．2Pa，厚度为120nm的ITO薄膜在可见光区的透过率可达到90％；氧流量能明显改变薄膜的性能，随着氧流量从0增加10L／min（标准状态下，下同），载流子浓度（N）则由3．2×10^20降低到1．2×10^19／cm^3，N值的变化与