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本文提出了一种采用0.25 μm CMOS工艺的高性能的带隙基准参考源.该电路结构简单,性能较好.用模拟软件进行仿真,在tt模型下,其温度系数为9.6ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为-56 dB,电压拉偏特性为384 ppm/V.而在其它模型下,也有较低的温度系数和较高的电源抑制比.
一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计
【摘 要】
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本文提出了一种采用0.25 μm CMOS工艺的高性能的带隙基准参考源.该电路结构简单,性能较好.用模拟软件进行仿真,在tt模型下,其温度系数为9.6ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为-56 dB
【机 构】
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武汉邮电科学研究院
【出 处】
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电讯技术
【发表日期】
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2005年5期
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