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随着SOI层厚度的变化，当SOI层的厚度为2μm时，SOILDMOS器件具有一个最佳的击穿电压．如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布，那么它的纵向电场就会为一个常数，击穿电压会达到最大值，而这种杂质浓度线性分布的漂移区可以通过热扩散得到．采用这种方法制得的SOILDMOS的纵向击穿电压提高了43％，导通电阻降低了24％，这是因为它的表面浓度更高。