【摘 要】
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西德西门子公司试制了一种密度为1600毕特/毫米~2的单晶体管存贮元件。过去的动态半导体存贮器要用三个晶体管,象电容器中存贮电荷那样存贮信息。那种存贮器以一般光刻技术
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西德西门子公司试制了一种密度为1600毕特/毫米~2的单晶体管存贮元件。过去的动态半导体存贮器要用三个晶体管,象电容器中存贮电荷那样存贮信息。那种存贮器以一般光刻技术做成,存贮密度是900毕特/毫米~2。
West Germany Siemens trial of a density of 1600 bits / mm ~ 2 single transistor storage element. In the past, dynamic semiconductor memories used three transistors to store information like the charges stored in a capacitor. The memory is made of general lithography, with a storage density of 900 bps / mm2.
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