【摘 要】
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采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统,以乙硅烷和氢气为气源,普通钠钙玻璃为衬底制备了氢化非晶硅（a-Si∶H）薄膜,研究了沉积压力对非晶硅薄膜的沉积速率、光学带隙以及结构因
【机 构】
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云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,四川文理学院物理与机电工程学院,DepartmentofPhysicsandAstronomy
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采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统,以乙硅烷和氢气为气源,普通钠钙玻璃为衬底制备了氢化非晶硅（a-Si∶H）薄膜,研究了沉积压力对非晶硅薄膜的沉积速率、光学带隙以及结构因子的影响。采用台阶仪、紫外可见分光光度计、傅里叶变换红外光谱仪和扫描电子显微镜等手段分别表征了a-Si∶H薄膜的沉积速率,光学带隙、结构因子和表面形貌。结果表明：随着沉积压力的增加,沉积速率呈现先上升后下降的趋势,光学带隙不断下降。当沉积压力小于210Pa时,以SiH键存在的H原子较多,而以SiH2或SiH3等形式存在的H较少;
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