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某型芯片金丝热超声楔焊过程中,镀金焊盘容易起层,经分析是由于芯片键合时预热温度处于工艺温度下限导致。对该芯片的热超声楔焊过程进行了正交试验分析,在键合设备及安装长度等条件不变的情况下,研究了影响键合强度的因素。实验表明,最佳预热温度“工艺窗口”出现在150 ℃,此时键合强度可达到0.15 N左右。