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采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究纤锌矿ZnO的能带结构、电子态密度和吸收光谱.计算结果表明,纤锌矿ZnO为直接带隙半导体,计算带隙宽度为0.81 eV.由配位场理论分析知,Zn3 d电子劈裂后形成的t2带对应Zn—O成键态,t2*带对应Zn—O反键态,e带为非键态.计算得ZnO的光学吸收边为3.47 eV,计算结果与实验值相一致.