中子辐照p型硅中的空穴陷阱和与氢有关的深能级中心

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:edison_young
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在5 × 10~(13)中子 cm~2辐照掺硼的p型氢气氛与氩气氛区熔硅以及p型直拉硅中,用结谱法观测到 12个空穴陷阱.其中H_6(0.12 eV)和 H_7(0.23 eV)为两个与氢有关的缺陷,它们可能是[H-V_4]复合物.在区熔硅中未观测到K中心,而出现两个于190℃退火消失的缺陷H_1(0.20 eV)和H_3(0.27 eV),它们可能分别相应于平面四空位(V_4)和硅自间隙(I_2).以前不同作者测得V_2~+的激活能差别甚大可能是由于H_1的影响. 12 hole traps were observed by the junction spectroscopy in a p-type hydrogen atmosphere doped with 5 × 10 ~ (13) neutron cm ~ 2 and argon in molten silicon and p-type silicon, and H_6 (0.12 eV) and H7 (0.23 eV) are two hydrogen-related defects that may be [H-V_4] complexes. K centers were not observed in the zone fused silica and two disappeared at 190 ° C H_3 (0.27 eV) and H_3 (0.27 eV) respectively, which may correspond to four vacancies (V_4) and self-interstitials (I_2), respectively.Various differences in the activation energies of V_2 ~ + measured by different authors before may be attributed to H_1 Impact.
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