【摘 要】
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二硫化钼单层在电子、光电器件以及化学催化剂等方面具有广泛的应用前景，为了扩大其在相关领域的应用，了解二硫化钼单层的电子迁移率与应变的依赖关系显得非常重要。在本工作中，基于密度泛函理论、密度泛函微扰理论以及波尔兹曼输运方程，我们系统地研究了室温下双轴拉伸应变对受电子 - 声子散射影响的二硫化钼单层电子迁移率的影响。计算结果表明，二硫化钼单层的电子迁移率随着应变强度的增加而增大。在实验中，可以通过对材料进行简单地机械拉伸，可以实现双轴拉伸应变情况，本工作对实验结果具有先行指导意义。
【机 构】
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苏州经贸职业技术学院，江苏 苏州 215000;苏州经贸职业技术学院，江苏 苏州 215000
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二硫化钼单层在电子、光电器件以及化学催化剂等方面具有广泛的应用前景，为了扩大其在相关领域的应用，了解二硫化钼单层的电子迁移率与应变的依赖关系显得非常重要。在本工作中，基于密度泛函理论、密度泛函微扰理论以及波尔兹曼输运方程，我们系统地研究了室温下双轴拉伸应变对受电子 - 声子散射影响的二硫化钼单层电子迁移率的影响。计算结果表明，二硫化钼单层的电子迁移率随着应变强度的增加而增大。在实验中，可以通过对材料进行简单地机械拉伸，可以实现双轴拉伸应变情况，本工作对实验结果具有先行指导意义。
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