【摘 要】
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本文用1000kv高压透射电子显微镜,研究了LPE Gal-xAlxAs/GaAs界面缺陷,观察到异质结Gal-xAexAs/GaAs界面附近存在的位错网络的平面和剖面分布形貌,分析了位错网络的分布特征,
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 武汉大学物理系
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本文用1000kv高压透射电子显微镜,研究了LPE Gal-xAlxAs/GaAs界面缺陷,观察到异质结Gal-xAexAs/GaAs界面附近存在的位错网络的平面和剖面分布形貌,分析了位错网络的分布特征,用高阶衍射明场和弱束暗场技术,观察到界面位错网络和Gal-xAlxAs/GaAs界面的位置关系。
In this paper, we investigated the LPE Gal-xAlxAs / GaAs interfacial defects using a 1000kv high-pressure transmission electron microscope. The plane and cross-sectional morphology of the dislocation network near the heterojunction Gal-xAexAs / GaAs interface was observed. Distribution characteristics, the high-order diffraction bright field and weak beam dark-field technology, the interface dislocation network and Gal-xAlxAs / GaAs interface was observed.
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