【摘 要】
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三代(3G)无线通信正在快速地变成现实.3G得以成功实施,一个重要的原因是在传输的两端扮演了支撑角色的锗硅(SiGe)双极和BiCMOS工艺技术.在手机中,SiGe在更低的电压下给射频(R
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三代(3G)无线通信正在快速地变成现实.3G得以成功实施,一个重要的原因是在传输的两端扮演了支撑角色的锗硅(SiGe)双极和BiCMOS工艺技术.在手机中,SiGe在更低的电压下给射频(RF)发射机和接收机带来更快的速率,在支持3 G多媒体通信所必需的更高带宽的同时,保持功耗降低.基站也从SiGe受益:高速的数据转换器和运算放大器成功地用更宽的带宽处理更多的通道.虽然SiGe的基本特性对两种应用而言是相似的,但对应于每种应用背后的半导体工艺之间有差别.
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