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提出了大规模存储器总剂量效应实验方法,给出了随机存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM) 和闪速存储器(Flash ROM)的60Co γ总剂量效应,以及辐照后在100 ℃高温条件下退火的实验结果.对实验现象进行了分析.
大规模存储器电离辐射试验方法
【摘 要】
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提出了大规模存储器总剂量效应实验方法,给出了随机存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM) 和闪速存储器(Flash ROM)的60Co γ总剂量效应,以及辐照后在100 ℃高温条
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院研究生院
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2005年5期
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