氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究

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采用PECVD法,反应温度为250℃,反应气体为NH3,SiH4在抛光硅片上沉积0.2~0.4μm厚的氮化硅薄膜,对这种Si3N4薄膜的光学性能和电学性能进行了测试,其光学折射率为1.875,电阻率及击穿场强分别为8×10^16Ω.cm及1×10^7V/cm,并用FTIR谱分析了薄膜的化学结构。
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