硫增感对立方体AgCl微晶光电子衰减影响的动力学研究

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本工作利用微波吸收介电谱技术检测了硫增感立方体氯化银微晶光电子的衰减时间谱,并根据实验结果建立丁硫增感氯化银微晶的动力学模型,通过计算机求解由此模型得到的光电子衰减动力学方程,得到了不同增感时间下电子陷阱的浓度和深度,发现随增感时间的增加,电子陷阱的深度保持不变(0.201eV),而陷阱的浓度发生了变化,即在增感时间为75min时电子陷阱的浓度为7.5×10^-6;在增感时间为60min时电子陷阱的浓度为3×10^-6,这些结论对于其它晶体特性的研究具有参考价值。
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