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<正> Ennen等首先报道了在硅中掺铒(Si:Er)实现1.53/μm波长的光致发光(PL)和电致发光(EL),这个波长的硅基发光器件(LED)将是光纤通讯用的单片硅基光电子集成电路的关键,因此Si:Er的研究受到高度重视。要使Si:Er LED发光强度满足实用要求尚需解决2个问题。其一是要提高Si中Er的掺杂浓度。Xie等的计算结果指出用常规尺寸制造的LED中的Er的浓度至少要达到10~(19)/cm~3才能满足光强的要求。最近Polman等用离子注