掺P、B对纳米Zn—0薄膜电学特性的影响

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现在普遍采用ITO薄膜 (In2 O3 ∶Sn)作为太阳电池的窗口材料 ,但由于In资源的稀缺 ,使太阳能电池的成本增加。Zn O是一种低成本材料 ,具有良好的电学、光学特性 ,因此可代替ITO薄膜作为窗口材料。由于ZnO n Si异质结太阳电池的转化效率为6 9%~ 8 5 % ,而ITO光电转换效率为 12 %~ 15 % ,采用液态源掺杂方法 ,取得较好效果 ,证实了掺P、B对纳米ZnO薄膜提高导电性是有效的。本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺P、B随热处理温度的变化对纳米Zn O薄膜电学特性
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