【摘 要】
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<正> 利用Hall效应制成的Hall电流传感器,其主体由两部分组成,其一为Hall片,其二为束磁芯,为高μi合金切口磁芯。切口磁芯的导磁率μr=1(1/μi+1g/1c),式中,μr为切口磁芯导
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<正> 利用Hall效应制成的Hall电流传感器,其主体由两部分组成,其一为Hall片,其二为束磁芯,为高μi合金切口磁芯。切口磁芯的导磁率μr=1(1/μi+1g/1c),式中,μr为切口磁芯导磁率,μi为封闭环导磁率,Ic为磁路长度(cm),Ig为气隙长度(cm)。当μi>>1时则有μr≈Ic/Ig,开气隙磁芯的剩磁Br∝Ic/Ig·Hc,即Br∝μr·Hc。为准确无误
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