Ar^+注入多孔硅与Ar^+注入硅多孔结构的光致发光研究

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研究了中等能量(30 kev)Ar^+注入多孔硅和中等能量(30kev)Ar^+先注入单晶硅后再进行电化学腐蚀成的多孔结构的光致发光特性。研究结果表明:中等能量(30kev)Ar^+注入多孔硅后,多孔硅原有的发光峰消失,主要是Ar^+对多孔硅表面氧的剥离作用,使得与氧相关发光的结构消失,多孔硅不再发光;中等能量(30key)Ar^+先注入单晶硅后再电化学腐蚀成的多孔结构中,通常多孔硅原有的580nm附近发光峰强度随注入Ar^+剂量的增加而增强,并有红移;同时在谱峰处于470nm附近的微弱发光峰不因注入Ar
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