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本文通过对多晶硅铸造全熔工艺异质形核理论的研究,选择优异的形核剂并制备良好的形核层,依靠涂层工艺的创新及铸锭工艺优化,确保全熔工艺下涂层内异质形核的可形核数,减小润湿角。结果显示,SiO2异质形核全熔工艺的多晶硅锭平均少子寿命达7.02μs,硅锭出材率达到66.21%,比半熔工艺硅片的电池光电转换效率略高。