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随着半导体线宽的不断减小，传统的湿法清洗技术已在多方面无法满足当前半导体发展对清洗技术和设备的要求。水等普通溶剂由于表面张力过大不能渗透到既小又深的结构中进行清洗，许多残留的异物皆无法完全移除，另外干燥时还会造成严重的颗粒吸附；水溶剂是强极性分子，清洗后会使硅片表面羟基化，羟基终端会吸附金属阳离子造成二次污染，直接导致CMOS栅漏；晶圆的多孔介质材料会由于水的表面张力造成微孔结构的塌陷，引起介电常数的增高。这些在客观上要求开发出新的半导体清洗工艺。