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采用化学溶液分解法(CSD)在Si衬底上制备了Sm0.5Bi3.5Ti3O12(SmBT0.5)薄膜。用X射线衍射技术分析了薄膜的结构和结晶性,用原子力显微镜描述了薄膜的表面形貌;并研究了薄膜的存储性以及介电性能。结果表明,在700℃下退火1h得到了结晶性较好,表面致密的多晶薄膜。该薄膜显示了良好铁电和介电性能。