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高剂量N^+注入碳膜形成氮化碳CNx的研究
高剂量N^+注入碳膜形成氮化碳CNx的研究
来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:woaizhmx
【摘 要】
:
研究了利用高剂量的N^+注入碳膜形成氮化碳CNx的可能性,对这种新材料进行了城叶变换红外吸收光谱、X射线光电子能说、X射线衍射和薄膜的维氏显微硬度等测量。结果表明,在100keV高剂量N^+注入碳膜
【作 者】
:
辛火平
石晓红
朱宏
林成鲁
邹世昌
【机 构】
:
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室
【出 处】
:
核技术
【发表日期】
:
1996年2期
【关键词】
:
离子注入
碳膜
氮化碳
X射线
光电子能谱
Ion implantation
Carbon nitride
Fourier transformation in
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研究了利用高剂量的N^+注入碳膜形成氮化碳CNx的可能性,对这种新材料进行了城叶变换红外吸收光谱、X射线光电子能说、X射线衍射和薄膜的维氏显微硬度等测量。结果表明,在100keV高剂量N^+注入碳膜过程中形成了含有碳氮共价键成分的CNx化合物。
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